Intel, 1.8nm ve 2nm süreçlerinin gelişimini tamamladı: Hedef liderlik

Intel, fabrikasyon teknolojisi liderliğine bir adım daha yaklaşıyor. Teknoloji devi, şirketin kendi ürünlerinde kullanmak için Intel 18A (1.8nm) ve Intel 20A (2nm) üretim süreçlerinin yanı sıra Intel Döküm Hizmetleri (IFS) bölümünün müşterileri için yongaların geliştirilmesini tamamladı.

Intel China’nın patronu Wang Rui, düzenlenen bir etkinlikte şirketin Intel 18A (18 angstrom sınıfı) ve Intel 20A (20 angstrom sınıfı) üretim süreçlerinin gelişimini tamamladığını söyledi. Bu arada, gelişimin tamamlanması bu işlem süreçlerinin ticari üretimlerde kullanılmaya hazır olduğu anlamına gelmiyor. Aksine, Intel’in her iki teknoloji için tüm özellikleri, malzemeleri, gereksinimleri ve performans hedeflerini belirlediği anlamına geliyor.

Intel, endüstri liderliğini hedefliyor

Intel’in 20A üretim teknolojisi, GAA (Gate-all-around) RibbonFET transistör mimarisini kullanacak. Bu transistörler FinFET’in ardılı olarak düşünülebilir. Ancak burada transistörler hem daha küçük hem de geçişkenlikleri daha hızlı. Dolayısıyla bunlarım performansı etkilemesi bekleniyor. Intel, bu üretim sürecinin watt başında yüzde 15 performans artışı sağlayacağını ve 2024’ün ilk yarısında da üretime sokmayı hedeflediğini aktarıyor.

Intel’in 18A üretim süreci, şirketin RibbonFET ve PowerVia teknolojilerinin yanı sıra küçülen transistör boyutlarını daha da geliştirecek. Görünüşe göre bu düğümün gelişimi o kadar iyi gidiyor ki Intel, hedeflerini 2025’ten 2024’ün ikinci yarısına kadar çekmiş durumda. Şirket, 2024’ün ikinci yarısında yüksek hacimli üretime (HVM) girdiğinde, 1.8nm sınıfı üretim teknolojisinin endüstrinin en gelişmiş düğümü olmasını bekliyor.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir